信息存储应用技术
  • 具有类比组件的数据安全装置的制作方法
    本发明主张于2017年6月9日提出的美国临时专利申请案no.62/517,533的优先权,在此以参考文献方式全部合并入本文中。附图说明附图包括以提供下列论述的较佳理解,且经整合于并组成本说明书的一部分。附图描绘本发明的例示实施例,并搭配论述阐述本发明的精神。图1a描绘类比组件100的第一次组件10...
  • 用于存储器装置中的多种操作模式的共享地址计数器的制作方法
    本文中描述的实施例大体上涉及存储器装置的领域。更明确来说,当前实施例包含针对多种操作模式利用共享地址计数器的一或多个系统、装置及方法。本章节希望向读者介绍可能与下文描述及/或主张的本发明的各种方面相关的所属领域的各种方面。据信,此论述有助于向读者提供背景信息以有利于更好理解本发明的各种方面...
  • 盒存储器、记录介质盒及其制造方法与流程
    本技术内容涉及一种存储信息记录介质的管理信息的盒存储器、包括其的记录介质盒及其制造方法。近年来,磁记录介质被广泛用于诸如电子数据备份的应用。作为磁记录介质之一,例如,由于磁带盒具有大容量并且可以长时间保存,因此磁带盒作为大数据等的存储介质越来越受到关注。例如,lto(线性磁带开放)标准的磁...
  • 一种存储设备测试和自动分BIN的方法、装置以及设备与流程
    本发明涉及到存储器领域,特别是涉及到一种存储设备测试和自动分bin的方法、装置以及设备。存储设备如tf卡(trans-flashcard,microsd卡)和u盘已深入人们的生产生活中。目前存储设备测试加工厂,均是工人手动测试存储设备的容量,该方式测试速度慢。另外,由于同批量生产的存储设备...
  • 移位寄存单元、栅极驱动电路、阵列基板及显示装置的制作方法
    本申请涉及显示,具体而言,本申请涉及一种移位寄存单元、栅极驱动电路、阵列基板及显示装置。goa(gatedriveronarray)技术即阵列基板行驱动技术,是将显示区域的栅极驱动电路制作在薄膜晶体管(thinfilmtransistor,tft)阵列基板上,以实现对显示区域进行逐...
  • 编程和擦除存储器结构的制作方法
    本公开通常涉及半导体结构,更特别地,涉及编程和擦除存储器结构以及制造方法。在电荷捕获晶体管(ctt)技术中,n型高k金属栅极(hkmg)金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)可以用作多次可编程存储器(mtpm)元件,从而得到用于嵌入式非易失性存储器应用的零工艺(zero-proces...
  • 非易失性存储器装置、操作方法及存储器控制器操作方法与流程
    本申请要求于2018年7月24日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0085868号韩国专利申请的优先权,所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。发明构思的实施例涉及一种半导体存储器,更具体地,涉及一种非易失性存储器装置、一种非易失性存储器装置的操作方法以及一种控制非易失性存储器装置的存储...
  • 非易失性存储装置及其编程方法与流程
    本发明构思的实施例总体上涉及非易失性存储装置。更具体地,本发明构思的实施例涉及闪存装置和编程的相关方法。易失性存储装置的示例包括动态随机存取存储器(dram)、静态随机存取存储器(sram),非易失性存储装置的示例包括电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、铁电随机存取存储器(fram)...
  • 一种对相变存储器单元相变能力的快速检测方法与流程
    本发明属于相变材料领域,具体涉及一种对相变存储器单元相变能力的快速检测方法,特别是涉及以硫系化合物相变材料为功能层的存储器以及其器件测试。以硫系相变材料为基底的相变存储器,通过两相之间巨大的电阻差异来存储信息数据,这种相变存储芯片随着尺寸减小而具有低功耗、高密度的成本优势,因而业界对纳米级...
  • 存储器装置和控制存储器装置的方法与流程
    本申请实施例涉及存储器装置和控制存储器装置的方法。半导体存储器为基于半导体的集成电路上实施的电子数据存储装置。半导体存储器是以许多不同类型和技术来制作。半导体存储器具有比其它类型的数据存储技术快得多的存取时间。举例来说,数据的字节通常可在数纳秒内写入到半导体存储器或从半导体存储器读取,而旋...
  • 采用时序推测型SRAM阵列的Cache行映射与替换方法与流程
    本发明涉及处理器体系结构技术研究领域,具体涉及采用时序推测型sram阵列的cache行映射与替换方法。随着现代处理器集成晶体管数量的不断增加,处理器性能的进一步提高越来越受限于能耗与散热之间的矛盾。另一方面,如何在满足性能需求的前提下,对于采用电池供电的移动终端类应用和对能耗更加敏感的物联...
  • 半导体元件的制作方法
    本揭示是有关于一种半导体元件,特别是关于记忆体元件的半导体元件。集成电路记忆体的其中一种常见的种类为静态随机存取记忆体(staticrandomaccessmemory;sram)元件。sram元件包含复数个记忆单元的阵列。每一个记忆单元使用连接在较高参考位准及较低参考位准之间的晶体管的预...
  • 每易失性位具有单个非易失性位的非易失性静态随机存取存储器架构的制作方法
    本公开涉及非易失性静态随机存取存储器(nvsram)架构领域,并且具体地涉及每易失性存储器单元具有一个非易失性存储器单元的nvsram架构。目前计算机中使用两种主要类型的存储器设备,即“非易失性”和“易失性”存储器设备。名称“非易失性”来自即使在移除或暂时丢失电源时,非易失性存储器设备也保...
  • 用于非易失静态随机存取存储器架构的扩展写入模式的制作方法
    本公开涉及非易失性静态随机存取存储器(nvsram)架构的领域,该架构具有允许对个体字进行非易失性写入(存储)操作的字级开关,并且特别是用于这种nvsram架构的扩展的非易失性写入模式。目前计算机中使用两种主要类型的存储器设备,即“非易失性”和“易失性”存储器设备。名称“非易失性”来自如下...
  • 一种电子盘的多功能物理自毁和掉电保护方法及电路与流程
    本发明属于电子盘,尤其涉及一种电子盘的多功能物理自毁和掉电保护方法及电路。随着科技的发展,信息对人类社会进步举足轻重,而信息最终会将被以数字形式存储在各种各样的存储介质中,而目前主流的存储产品已更新换代为电子盘(各种接口的nandflash存储介质),而对于电子盘数据的安全显得尤为...
  • 每个通路的占空比校正的制作方法
    本发明的实施例大体上涉及半导体存储器装置的领域。更确切地说,本发明的实施例涉及在存储器装置的每个dq引脚(例如,数据输入输出(i/o)引脚)处的占空比校正。为了控制包含在存储器装置中的电路的操作,存储器装置可使用一或多个计时和/或控制信号。举例来说,存储器装置可产生相位控制内部时钟信号lc...
  • 半导体存储器的存取装置和存取方法与流程
    本发明涉及半导体集成电路,尤其涉及一种半导体存储器的存取装置和存取方法。半导体存储装置,例如静态随机存取存储器(staticrandom-accessmemory,简称sram)、动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory,简称dram)、只读存储器(r...
  • 用于提供选通数据信号的装置的制作方法
    本揭露大体来说涉及电子电路中的定时输入及输出操作以及电路。本揭露更具体地说涉及性能及可靠性得到改善的存储器读取及写入方法以及装置。某些定时输入及输出操作(例如存储装置的输入(read)及输出(write)操作)涉及到供应输入信号或输出信号并对信号进行选通。输入或输出信号与选通信号之间的相对...
  • 执行写入均衡操作的存储器件的制作方法
    相关申请的交叉引用本申请要求于2018年7月31日提交的申请号为no.10-2018-0089101的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。本发明的示例性实施例涉及存储器件。在存储器件中,使用时钟和数据选通信号。定义存储器件的性能的规范提供了数据选通信号和时钟之间的跨域余量(d...
  • 电力供应控制的制作方法
    本发明实施例涉及电力供应控制。电子电路通常需要电力供应来操作电路。举例来说,集成电路存储器装置通常连接于电源电压端子和接地之间。例如存储器装置等一些集成电路装置可在不同电压电平下操作。举例来说,如果装置的较低速度或操作水平在特定时间已足够,则所述装置可在较低电压电平下操作以节约电力。当期望...
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